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      SIHG22N60E-GE3
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      Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIHG22N60E-GE3

      制造商:Vishay Siliconix

      描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

      系列:-

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓 (Vdss):600V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 11A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):86nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1920pF @ 100V

      功率 - 最大值:227W

      安裝類型:通孔

      封裝/外殼:TO-247-3

      供應(yīng)商器件封裝:TO-247AC


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