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      SIE860DF-T1-GE3
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      Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIE860DF-T1-GE3

      制造商:Vishay Siliconix

      描述:MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

      系列:TrenchFET

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓 (Vdss):30V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 21.7A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):105nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4500pF @ 15V

      功率 - 最大值:104W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:10-PolarPAK(M)

      供應(yīng)商器件封裝:10-PolarPAK(M)


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