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      SIB417AEDK-T1-GE3
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      Vishay威世半導體原廠型號:SIB417AEDK-T1-GE3

      制造商:Vishay Siliconix

      描述:MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

      系列:TrenchFET

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標準

      漏源極電壓 (Vdss):8V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 3A, 4.5V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18.5nC @ 5V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):878pF @ 4V

      功率 - 最大值:13W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L

      供應商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 單


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