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        SIB411DK-T1-GE3
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIB411DK-T1-GE3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標準

        漏源極電壓 (Vdss):20V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):66 毫歐 @ 3.3A,4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 8V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):470pF @ 10V

        功率 - 最大值:13W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L

        供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 單


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