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        SIA533EDJ-T1-GE3
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIA533EDJ-T1-GE3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

        系列:TrenchFET

        FET 類型:N 和 P 溝道

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):12V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.5A

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):34 毫歐 @ 4.6A,4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):420pF @ 6V

        功率 - 最大值:7.8W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6 雙

        供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 雙


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