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        SI8805EDB-T2-E1
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI8805EDB-T2-E1

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):8V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):68 毫歐 @ 1.5A, 4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 4.5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:500mW

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:4-XFBGA

        供應(yīng)商器件封裝:4-Microfoot


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