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        SI8497DB-T2-E1
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI8497DB-T2-E1

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):13A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):53 毫歐 @ 1.5A,4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1320pF @ 15V

        功率 - 最大值:13W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:6-UFBGA

        供應(yīng)商器件封裝:6-microfoot


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