SI7491DP-T1-E3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI7491DP-T1-E3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購SI7491DP-T1-E3？不再猶豫，找我們沒錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SI7491DP-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：8.5 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：85nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8