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      SI7431DP-T1-E3
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      Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI7431DP-T1-E3

      制造商:Vishay Siliconix

      描述:MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

      系列:TrenchFET

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平門

      漏源極電壓 (Vdss):200V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Ta)

      不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):174 毫歐 @ 3.8A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):135nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

      功率 - 最大值:1.9W

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:PowerPAK SO-8

      供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8


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