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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SI7252DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：36.7A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1170pF @ 50V

功率 - 最大值：46W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual