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        SI5902DC-T1-E3
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        SI5902DC-T1-E3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI5902DC-T1-E3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI5902DC-T1-E3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

        系列:TrenchFET

        FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.9A

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2.9A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?/p>

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):7.5nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:1.1W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

        供應(yīng)商器件封裝:1206-8 ChipFET


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