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        SI4660DY-T1-E3
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        SI4660DY-T1-E3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI4660DY-T1-E3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI4660DY-T1-E3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):25V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):23.1A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 15A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2410pF @ 15V

        功率 - 最大值:5.6W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

        供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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