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        SI4431BDY-T1-GE3
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        Vishay威世半導體原廠型號:SI4431BDY-T1-GE3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.7A(Ta)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 7.5A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:1.5W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

        供應商器件封裝:8-SO


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