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        SI4166DY-T1-GE3
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4166DY-T1-GE3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):30.5A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 15A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2730pF @ 15V

        功率 - 最大值:6.5W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

        供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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