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        SI2371EDS-T1-GE3
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        SI2371EDS-T1-GE3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI2371EDS-T1-GE3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI2371EDS-T1-GE3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

        系列:TrenchFET

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4.8A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 3.7A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):35nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:1.7W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

        供應(yīng)商器件封裝:SOT-23


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