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        SI1902DL-T1-E3
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI1902DL-T1-E3

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6

        系列:TrenchFET

        FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):20V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):660mA

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):385 毫歐 @ 660mA, 4.5V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.2nC @ 4.5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:270mW

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

        供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6 (SOT-363)


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