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        IRFIBF30G
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        Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):IRFIBF30G

        制造商:Vishay Siliconix

        描述:MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

        系列:-

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):900V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.9A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 1.1A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):78nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1200pF @ 25V

        功率 - 最大值:35W

        安裝類型:通孔

        封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片

        供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3


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