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      TPH1R712MD,L1Q
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      東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TPH1R712MD,L1Q

      制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

      功能總體簡述: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

      系列: -

      FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓(Vdss): 20V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 60A(Tc)

      不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 1.7 毫歐 @ 30A,4.5V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 1mA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 182nC @ 5V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 10900pF @ 10V

      功率 - 最大值: 78W

      安裝類型: 表面貼裝

      封裝/外殼: 8-PowerVDFN

      供應(yīng)商器件封裝: 8-SOP 高級(jí)


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