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      TJ9A10M3,S4Q(M
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      東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TJ9A10M3,S4Q(M

      制造廠家名稱(chēng): Toshiba Semiconductor and Storage

      功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

      系列: -

      FET 類(lèi)型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓(Vdss): 100V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 9A(Ta)

      不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 170 毫歐 @ 4.5A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 47nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 2900pF @ 10V

      功率 - 最大值: 19W

      安裝類(lèi)型: 通孔

      封裝/外殼: TO-220-3 整包

      供應(yīng)商器件封裝: TO-220SIS


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