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      HN3C10FUTE85LF
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      東芝半導(dǎo)體公司完整型號:HN3C10FUTE85LF

      制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

      描述:TRANSISTOR NPN US6

      系列:-

      晶體管類型:2 NPN(雙)

      電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V

      頻率 - 躍遷:7GHz

      噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz

      增益:11.5dB

      功率 - 最大值:200mW

      不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V

      電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80mA

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

      供應(yīng)商器件封裝:US6


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