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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：GT60M303(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：460ns/600ns

Test Condition：-

反向恢復(fù)時間 (trr)：2.5μs

封裝/外殼：TO-3PL

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（LH）