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      STP11NM60ND
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      ST意法半導體公司完整型號:STP11NM60ND

      制造廠家名稱:STMicroelectronics

      描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

      系列:FDmesh? II

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:標準

      漏源極電壓 (Vdss):600V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 5A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):850pF @ 50V

      功率 - 最大值:90W

      安裝類型:通孔

      封裝/外殼:TO-220-3

      供應商器件封裝:TO-220AB


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