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        STP10NM60ND
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STP10NM60ND

        制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics

        描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

        系列:FDmesh? II

        FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):600V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 4A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):577pF @ 50V

        功率 - 最大值:70W

        安裝類(lèi)型:通孔

        封裝/外殼:TO-220-3

        供應(yīng)商器件封裝:TO-220


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