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        STI33N60M2
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STI33N60M2

        制造廠家名稱:STMicroelectronics

        描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK

        系列:MDmesh II Plus

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標準

        漏源極電壓 (Vdss):650V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):26A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 13A, 10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):45.5nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1781pF @ 100V

        功率 - 最大值:190W

        安裝類型:通孔

        封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

        供應(yīng)商器件封裝:I2PAK(TO-262)


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