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        STD8N65M5
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STD8N65M5

        制造廠家名稱:STMicroelectronics

        描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

        系列:MDmesh V

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):650V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):690pF @ 100V

        功率 - 最大值:70W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

        供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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