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        STD2HNK60Z
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STD2HNK60Z

        制造廠家名稱:STMicroelectronics

        描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

        系列:SuperMESH?

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):600V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.8 歐姆 @ 1A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):280pF @ 25V

        功率 - 最大值:45W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

        供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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