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      STB42N60M2-EP
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      ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STB42N60M2-EP

      制造廠家名稱(chēng): STMicroelectronics

      功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

      系列: MDmesh M2

      FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

      漏源極電壓(Vdss): 600V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 34A(Tc)

      不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 87 毫歐 @ 17A,10V

      不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

      不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 55nC @ 10V

      不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 2370pF @ 100V

      功率 - 最大值: 250W

      安裝類(lèi)型: 表面貼裝

      封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB

      供應(yīng)商器件封裝: D2PAK


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