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        STB30NM50N
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB30NM50N

        制造廠家名稱:STMicroelectronics

        描述:MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK

        系列:MDmesh II

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓 (Vdss):500V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):27A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):115 毫歐 @ 13.5A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):94nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2740pF @ 50V

        功率 - 最大值:190W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

        供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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