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        STB28N65M2
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        ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STB28N65M2

        制造廠家名稱: STMicroelectronics

        功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

        系列: MDmesh M2

        FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

        漏源極電壓(Vdss): 650V

        電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 20A(Tc)

        不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 180 毫歐 @ 10A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 35nC @ 10V

        不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1440pF @ 100V

        功率 - 最大值: 170W

        安裝類型: 表面貼裝

        封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

        供應(yīng)商器件封裝: D2PAK


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