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      NE3516S02-T1C-A
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      Renesas瑞薩完整型號: NE3516S02-T1C-A

      制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)

      功能總體簡述: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

      系列: -

      晶體管類型: N 溝道 GaAs HJ-FET

      電壓 - 集射極擊穿(最大值): -

      頻率: 12GHz

      增益: 14dB

      頻率 - 躍遷: -

      噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): -

      電壓 - 測試: 2V

      額定電流: 60mA

      功率 - 最大值: -

      噪聲系數(shù): 0.35dB

      不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -

      電流 - 測試: 10mA

      功率 - 輸出: 165mW

      電流 - 集電極(Ic)(最大值): -

      安裝類型: -

      電壓 - 額定: 4V

      封裝/外殼: 4-SMD,扁平引線

      供應(yīng)商器件封裝:


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