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      VT6J1T2CR
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      ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: VT6J1T2CR

      制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

      功能總體簡述: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

      系列: -

      FET 類型: 2 個 P 溝道(雙)

      FET 功能: 邏輯電平柵極,1.2V 驅(qū)動

      漏源極電壓(Vdss): 20V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 100mA

      不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 3.8 歐姆 @ 100mA,4.5V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 100μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -

      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 15pF @ 10V

      功率 - 最大值: 120mW

      安裝類型: 表面貼裝

      封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線

      供應(yīng)商器件封裝: VMT6


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