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      US6K2TR
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      ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: US6K2TR

      制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

      功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

      系列: -

      FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)

      FET 功能: 邏輯電平門

      漏源極電壓(Vdss): 30V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 1.4A

      不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 240 毫歐 @ 1.4A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 2nC @ 5V

      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 70pF @ 10V

      功率 - 最大值: 1W

      安裝類型: 表面貼裝

      封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線

      供應(yīng)商器件封裝: TUMT6


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