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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): US6J2TR

制造廠家名稱(chēng): Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

系列: -

FET 類(lèi)型: 2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能: 邏輯電平門(mén)

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 1A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 390 毫歐 @ 1A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 150pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD，扁平引線(xiàn)

供應(yīng)商器件封裝: TUMT6