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      RSQ025P03TR
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      ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RSQ025P03TR

      制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

      功能總體簡述: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

      系列: -

      FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

      漏源極電壓(Vdss): 30V

      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2.5A(Ta)

      不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 110 毫歐 @ 2.5A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 4.4nC @ 5V

      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 320pF @ 10V

      功率 - 最大值: 1.25W

      安裝類型: 表面貼裝

      封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

      供應(yīng)商器件封裝: TSMT6


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