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        RSH100N03TB1
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        ROHM羅姆半導體完整型號: RSH100N03TB1

        制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

        功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A SOP8

        系列: -

        FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅動

        漏源極電壓(Vdss): 30V

        電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta)

        不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 13.3 毫歐 @ 10A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

        不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 20nC @ 5V

        不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1070pF @ 10V

        功率 - 最大值: 2W

        安裝類型: 表面貼裝

        封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

        供應商器件封裝: 8-SOP


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