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        RSD150N06TL
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        ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RSD150N06TL

        制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

        功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

        系列: -

        FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng)

        漏源極電壓(Vdss): 60V

        電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 15A(Ta)

        不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 40 毫歐 @ 15A,10V

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 18nC @ 10V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 930pF @ 10V

        功率 - 最大值: 20W

        安裝類型: 表面貼裝

        封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

        供應(yīng)商器件封裝: CPT3


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