RQ3E080GNTB >>> ROHM羅姆芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供ROHM公司RQ3E080GNTB報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購RQ3E080GNTB？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務！

ROHM羅姆半導體完整型號: RQ3E080GNTB

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 8A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 16.7 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 5.8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 295pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應商器件封裝: 8-HSMT（3.2x3）