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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RCD100N19TL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動

漏源極電壓（Vdss）: 190V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 10A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 182 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 52nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 2000pF @ 25V

功率 - 最大值: 850mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝: CPT3（SC-63）