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        QS8M51TR
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        ROHM羅姆半導體完整型號: QS8M51TR

        制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

        功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

        系列: -

        FET 類型: N 和 P 溝道

        FET 功能: 邏輯電平門

        漏源極電壓(Vdss): 100V

        電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2A,1.5A

        不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 325 毫歐 @ 2A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

        不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 4.7nC @ 5V

        不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 290pF @ 25V

        功率 - 最大值: 1.5W

        安裝類型: 表面貼裝

        封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線

        供應商器件封裝: TSMT8


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