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        EMD30T2R
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        ROHM羅姆半導體完整型號: EMD30T2R

        制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

        功能總體簡述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

        系列: -

        晶體管類型: 1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)

        電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA,200mA

        電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V,30V

        電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 10k,1k

        電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 10k

        不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V

        不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 500μA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA

        電流 - 集電極截止(最大值): 500nA

        頻率 - 躍遷: 250MHz,260MHz

        功率 - 最大值: 150mW

        安裝類型: 表面貼裝

        封裝/外殼: SOT-563,SOT-666

        供應商器件封裝: EMT6


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