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        TF262TH-5-TL-H
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:TF262TH-5-TL-H

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:JFET N-CH 1MA 100MW

        系列:-

        FET 類型:N 溝道

        電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-

        漏源極電壓 (Vdss):-

        不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):210μA @ 2V

        漏極電流 (Id) - 最大值:1mA

        不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 1μA

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3.5pF @ 2V

        電阻 - RDS(開):-

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:3-SMD,扁平引線

        供應(yīng)商器件封裝:VTFP

        功率 - 最大值:100mW


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