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        NVD6415ANLT4G
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NVD6415ANLT4G

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4

        系列:-

        FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):100V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):23A(Tc)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):52 毫歐 @ 10A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1024pF @ 25V

        功率 - 最大值:83W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

        供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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