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        NTMS4176PR2G
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        ON安森美半導體完整型號:NTMS4176PR2G

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC

        系列:-

        FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

        FET 功能:邏輯電平門

        漏源極電壓 (Vdss):30V

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.5A(Ta)

        不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 9.6A,10V

        不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

        不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 4.5V

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1720pF @ 24V

        功率 - 最大值:810mW

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

        供應商器件封裝:8-SOIC N


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