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      NTLJD3182FZTBG
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      ON安森美半導體完整型號:NTLJD3182FZTBG

      制造廠家名稱:ON Semiconductor

      描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

      系列:-

      FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

      FET 功能:二極管(隔離式)

      漏源極電壓 (Vdss):20V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.2A(Ta)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2A,4.5V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.8nC @ 4.5V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):450pF @ 10V

      功率 - 最大值:710mW

      安裝類型:表面貼裝

      封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤

      供應商器件封裝:6-WDFN(2x2)


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