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      NTD4860N-1G
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      ON安森美半導體完整型號:NTD4860N-1G

      制造廠家名稱:ON Semiconductor

      描述:MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK

      系列:-

      FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

      FET 功能:邏輯電平門

      漏源極電壓 (Vdss):25V

      電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.4A(Ta),65A(Tc)

      不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 30A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16.5nC @ 4.5V

      不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1308pF @ 12V

      功率 - 最大值:1.28W

      安裝類型:通孔

      封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

      供應商器件封裝:I-Pak


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