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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NGTB30N120IHRWG

制造廠家名稱(chēng)：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247

系列：-

IGBT 類(lèi)型：溝道和場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.5V @ 15V，30A

功率 - 最大值：384W

Switching Energy：700μJ （關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：225nC

25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：-/230ns

Test Condition：600V, 30A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247