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        NGTB20N60L2TF1G
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        NGTB20N60L2TF1G >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司NGTB20N60L2TF1G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!

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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NGTB20N60L2TF1G

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:IGBT 600V 20A TO3PF

        系列:-

        IGBT 類型:-

        電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

        電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40A

        Current - Collector Pulsed (Icm):80A

        不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.65V @ 15V,20A

        功率 - 最大值:64W

        Switching Energy:-

        輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

        Gate Charge:84nC

        25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:60ns/193ns

        Test Condition:300V, 20A, 30 歐姆, 15V

        反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):70ns

        封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3

        安裝類型:通孔

        供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF-3


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