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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NGTB15N60S1EG

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3

系列：-

IGBT 類型：NPT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.7V @ 15V，15A

功率 - 最大值：117W

Switching Energy：550μJ （開）， 350μJ （關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：88nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：65ns/170ns

Test Condition：400V，15A，22 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：270ns

封裝/外殼：TO-220-3

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220