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        MMBFJ177LT1G
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:MMBFJ177LT1G

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:JFET P-CH 30V 225MW SOT23

        系列:-

        FET 類型:P 溝道

        電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30V

        漏源極電壓 (Vdss):-

        不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):1.5mA @ 15V

        漏極電流 (Id) - 最大值:-

        不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):800mV @ 10nA

        不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):11pF @ 10V(VGS)

        電阻 - RDS(開):300 歐姆

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

        供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)

        功率 - 最大值:225mW


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