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        EFC6605R-TR
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        ON安森美半導(dǎo)體完整型號:EFC6605R-TR

        制造廠家名稱:ON Semiconductor

        描述:MOSFET 2N-CH EFCP

        系列:-

        FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

        FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)

        漏源極電壓 (Vdss):-

        電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):-

        不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):-

        不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

        不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):19.8nC @ 4.5V

        不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

        功率 - 最大值:1.6W

        安裝類型:表面貼裝

        封裝/外殼:6-XFBGA

        供應(yīng)商器件封裝:6-EFCP (1.9x1.46)


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